Desde noviembre del año pasado se lleva rumoreando que el próximo Samsung Galaxy S6 (del que ya tenemos una nueva e importante filtración) estrenaría la memoria interna basada en el estándar UFS 2.0. El anuncio de que la compañía coreana ya ha empezado la fabricación en masa de este tipo de memoria de almacenamiento nos da esperanza de verla implementada en su próximo franquicia. Y tiene razones para querer hacerlo.
El estándar UFS 2.0 debería suponer sobre el papel el mismo salto casi que hemos vivido en los ordenadores cuando las unidades SSD llegaron para sustituir a los discos duros tradicionales. La cifras que da Samsung para sus nuevas unidades UFS 2.0 son de 2.7 veces más rápidas leyendo datos que los actuales sistemas eMMC, pero especialmente interesante nos parece la promesa de una reducción del 50% en el consumo energético.
Traducido a hechos, si la teoría se traspasa al mundo smartphone, los futuros smartphones que la incorporen, funcionarán de forma más fluida y podrán mejorar su autonomía sin aumentar la capacidad de las baterías. Y el nuevo Samsung Galaxy S6 es un candidato ideal para estrenarla en exclusiva.
El tipo de almacenamiento, nueva frontera entre gamas
Según Samsung, el estándar UFS 2.0 marcará una línea más de separación entre los que podríamos considerar como smartphones de gama alta y los demás. Ahora esa barrera, además de lógicamente por el precio, suele estar (no en todos los casos) delimitada por el procesador usado, el acabado del equipo y la cámara de fotos.
Las nuevas memorias que llegarán en los próximos meses a los mejores smartphones (Xiaomi ya ha confirmado que también los tendrá) elevarán además su capacidad base, pues solo se fabricarán con 32, 64 y 128 GB de capacidad. Un buen paso para poder olvidarnos de memorias microSD, a las cuales este estándar supera en 26 veces cuando se trata de escritura de datos.
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La noticia Samsung Galaxy S6: la mejora de autonomía y rendimiento podría esconderse en su memoria fue publicada originalmente en Xataka por Javier Penalva .
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