Tenemos nuevos acrónimos que pronto empezarán a sonar por todos lados. Con la nueva generación de smartphones presentados en el MWC 2015 han llegado UFS 2.0 y DDR4, dos nuevos estándares de memoria que ya están presentes en los nuevos teléfonos.
Por ahora en los modelos más punteros, de gama más alta, pero que seguro irán llegando también al resto de familias. UFS 2.0 es un nuevo estándar para almacenamiento flash extraordinariamente rápido; por su parte, DDR4 es la cuarta generación de memoria RAM 'DDR', que seguro os sonará mucho más.
UFS 2.0, la memoria del presente y del futuro
UFS, o Universal Flash Storage , pretende ser el nuevo estándar de memoria para teléfonos, cámaras y otro tipo de dispositivos electrónicos. La sucesora de eMMC, hasta ahora la única en el mercado e implementada por prácticamente todos.
UFS 2.0 es la segunda generación, y será la más conocida. La primera versión (UFS v1.1) se publicó en junio de 2012 y fue rápidamente adelantada por UFS v2.0, liberada en septiembre de 2013 por la JEDEC bajo el código JESD220B. No fue hasta 2014 cuando algunos fabricantes anunciaron que empezarían a implementarla, y es ahora en 2015 cuando los usuarios de a pie podremos disfrutarla en dispositivos finales.
¿Cuáles son las características principales de UFS 2.0? Se trata de una evolución en varios aspectos sobre eMMC 5.0, mejorando aspectos como el ancho de banda disponible, nuevas extensiones de seguridad o la gestión energética. Un dato interesante es que UFS 2.0 permite la lectura/escritura simultánea, mientras que eMMC sólo permite una o la otra, pero no las dos a la vez.
Mucho más interesante es la mejora cuantitativa que UFS 2.0 proporciona frente a eMMC 5.0. Un ejemplo: eMMC proporciona un bus de hasta 400 MB/s, mientras que UFS 2.0 HS-G2 ofrece casi el doble, hasta 742 MB/s basándose en dos líneas de 2,9 Gbps. En el estándar también existe una versión superior, denominada HS-G3, y que trae dos líneas a 5,8 Gbps con las que podrían alcanzar los 1.485 MB/s.
Aquí arriba se han descrito los datos teóricos proporcionados por el estándar UFS 2.0. En la cruda realidad, cómo no, las cifras son significativamente menores. Samsung, una de las que más están apostando por UFS 2.0, daba algunos datos sobre medidas secuenciales que generalmente son mucho más cercanas al uso real
| Estándar | Año | Lectura secuencial (MB/s) | Escritura secuencial (MB/s) | IOPs lectura | IOPs escritura |
|---|---|---|---|---|---|
| UFS 2.0 | 2014 | 350 | 150 | 19000 | 14000 |
| eMMC 5.1 (*) | 2015 | 250 | 125 | 11000 | 13000 |
| eMMC 5.0 | 2013 | 250 | 90 | 7000 | 13000 |
| eMMC 4.5 | 2012 | 140 | 40 | 1500 | 500 |
Igualmente son interesantes algunos benchmarks como los filtrados por PhoneArena, donde proponen una mejora de entre 1.4 y 4 veces el rendimiento de los smartphones de pasadas generaciones.
Sin embargo, no sólo existen beneficios a favor de UFS 2.0. Su gran desventaja frente a eMMC es que es una memoria más cara, lo cual restringe su uso actual a los dispositivos de gama alta. La industria espera una tendencia de la disminución en su precio, de forma que en los próximos años la veremos en el resto de gamas.
LPDDR4 es la nueva RAM para los mejores móviles
Al contrario que UFS, LPDDR4 mantiene un ritmo de evolución 'tradicional'. Es el nuevo estándar de memoria RAM que poco a poco irá adecuándose a los smartphones y tablets de cualquier fabricante, por ahora - como es habitual - en las gamas altas para más tarde ir descendiendo a todos los demás productos.
El estándar LPDDR4 - de Low Power DDR - fue publicado el 25 de agosto de 2014 como una evolución del ya más que habitual LPDDR3. Una nueva generación de memoria RAM que mejora varios apartados de las anteriores versiones, entre ellos la frecuencia de reloj que pasa a 1.600 MHz. o el ratio de transferencia, que mejora proporcionalmente hasta los 3200 MT/s. Igualmente también se da una disminución en el voltaje que repercutirá en un menor consumo, si bien es una reducción tímida desde los 1.2 a 1.1 voltios. A continuación plasmamos los cambios principales respecto de la actual LPDDR3:
| LPDDR3 | LPDDR4 | |
|---|---|---|
| Frec. interna | 200 MHz. | 200 MHz. |
| Frec. de reloj | 800 MHz. | 1600 MHz. |
| Ratio de transferencia | 1600 MT/s | 3200 MT/s |
| Voltaje | 1.2~1.8 V. | 1.1~1.8 V. |
Al igual que con UFS, Samsung se está posicionando como uno de los líderes en DDR4, habiendo presentado ya sus primeros módulos en diciembre de 2014. En esta presentación aportan también algunos otros detalles: estas primeras generaciones de memoria LPDDR4 están siendo fabricadas en módulos de 1 GB y con arquitectura de 20 nanómetros; el fabricante asegura, además, que proporcionan el doble de rendimiento y densidad que LPDDR3.
Evidentemente LPDDR4 mejorará el rendimiento de nuestros smartphones, como no podíamos esperar otra cosa. Sin embargo, ¿en qué grado o proporción? ¿Cuál será la mejora que notaremos los usuarios? Aún no existen benchmarks al respecto ya que sólo hay un teléfono que incluya esta tecnología.
Galaxy S6, por ahora el único que disfruta de UFS 2.0 y LPDDR4
Y es que UFS 2.0 y LPDDR4 sólo están presentes en los Galaxy S6 y S6 Edge, dos bestias para las que seguramente haya tenido mucho que ver que es la propia Samsung una de las principales artífices de los nuevos estándares, además de fabricante.
A priori Samsung Galaxy S6 estará un pequeño pasito por delante de la competencia gracias a las nuevas versiones utilizadas tanto en almacenamiento (UFS 2.0) como en RAM (LPDDR4). ¿Cuál será el impacto de los nuevos estándares en el rendimiento global del teléfono? Es algo muy difícil de determinar teniendo en cuenta que también coexisten junto a otros cambios como el procesador, un Exynos 7 Octa 7420. Algo influirán, seguro, pero me temo que hasta que no tengamos los nuevos teléfonos en las manos no me atrevería a pronunciarme al respecto.
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La noticia UFS 2.0 y DDR4, así es como los cambios en memoria van a mejorar el rendimiento de tu próximo smartphone fue publicada originalmente en Xataka por Pablo Espeso .
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